(퍼옴)0.01나노 터널링 효과 막는방법.jpg : 엽기자랑 : 와이고수

전자가 작아지면서 미세한 구멍을 뚫고 나오는거야.

규소 즉 실리콘 잉곳을 열처리해서 가열한뒤, 압착 공정을 통해서,

실리콧 잉곳의 부피를 줄여주는거지. 이러면 그 미세한 규멍들이 체워지면서,

0.01나노의 웨이퍼를 그려도, 터널링 효과가 발생하지 않지.

터널링 효과가 소자가 얇아지면서 생기는 현상이야.

이 문제를 해결하기 위해서, 식각 공정을 먼저 한 뒤,

그 안에 미세한 특수 코팅액을 넣고, 압력을 통해서 스며들게 하고,

굳게 한 뒤, 열처리하고, 삭 각 공정을 한뒤, 다시 열처리를 하는거지.

이 공정을 2번, 3번 반복할수도있어. 이러면 터널링 효과를 막을수있지.

그리고 절연체 충분히 넣고, 그 위에 3중, 5중 코팅을 해주는거야.

터널링 효과가 발생하는것은 고전역학이나 양자역학의 문제가 아니고

소자의 벽이 얇아지면서, 생긴 일이야.

사실 난제라고 할 것도 없지.