전기가 흐르는 채널의 크기를 키울수록 저항이 낮아지는데,

이것은 흐르는 전류가 동일하다는것에 한해서지.

이러면 전압이 낮아져, 어차피 1.5V면 1.5V에 맞게 전압을 계속 주닌깐,

채널의 크기를 키운다고 해도, 전압과 저항은 동일하다는거지.

저항에 의해 발생하는 열을 줄이려면 전압을 줄여야 돼, 

결국 전압이 높으면 열은 계속 발생 할 수 밖에 없다는거야.

이 열을 빠르게 빼내도록 하는게 중요하겠지.

그런데 실리콘의 미세한 틈들이 많아서, 

0.01나노가 현실화되면 터널링 효과가 발생해,

이것을 체워 줘야 돼, 

SIC 전력 반도체처럼 실리콘과 탄소를 1:1 비율이 아니라,

실리콘이 8: 탄소를 2 비율로 만들 수 있어.

그리고 이것을 응축시키는 압축 공정을 추가로 하는거야.

실리콘과 탄소의 밀도는 변하지 않더래도, 부피가 줄어들면서, 

미세한 틈들이 체워지지. 

이 비율로 만들어진 실리콘 잉곳이면 터널링 효과를 막게되겠지.

하지만 그만큼 발열이 많이 발생하는데, 이 발열을 빠르게 해소해주려면 

실리콘 안에 열전도성이 높은 물질을 혼합해서 웨이퍼를 만들고, 

흑연 코팅을 통해서, 열을 빠르게 배출하도록 하는거지.

0.01나노가 현실화 되려면, 빛의 크기를 줄이는것도 필요하지만,

터널링 효과를 막을수있는 특수 웨이퍼가 필요하다는거지.

갤럭시 CPU의 발열 잡는 방법은 전압을 낮추는 것 밖에 없어.

아니면 열전도율이 뛰어난 물질을 코팅하고, 쿨러를 달아야 되는거야.

CPU 같이 쿨러가 없는경우, 전압을 낮춰야 돼,

저항에 의해 열이 만들어지는데, 저항을 줄이는게 발열을 잡는 핵심 원리겠지.

쿨러가 없다면 전압을 낮추는거지.

이것도 조립형 스마트폰 만들어지면 스마트폰 뒤에 스마트폰 전용 쿨러 하나 장착하면 되지.