현재 반도체 업계에서 2나노 이하는 불가능하다는 결론이 내려졌어.

그래서 2나노의 소자를 더 늘려서, 작아진것과 같은 수준의 소자를 넣어 성능을 높이자는거지.

1나노. 0.1나노가 우리가 아는 1나노 0.1나노가 아니라, 

단위면적에 2나노로 1나노했을때 수준의 만큼 넣은 것으로 하자는거야.

그러면 향후 나올 0.1나노는 2나노의 소자가 더 들어간것에 불과하다는거지.

하지만 이것 역시 깨져버렸지. 0.01 나노를 현실화 할 핵심 공정과 기술이 개발되었으닌깐,

0.01나노를 현실화 하기 위해서 가장 중요한것은 빛의 크기를 줄이는것이였어.

빛의 크기를 8배이상 줄이면 단위면적에 빛의 밀도가 높아져서, 상이 제대로 나오지 않았어,

그래서 2번째 사진처럼 a1를 투과시키는거지.

이 과정에서 빛의 밀도가 균등하게 80%가 줄어드는거야.

그러면 빛의 밀도가 20%로 줄어드닌깐, 5배의 배율로 추가로 축소가 가능해져,

C1 오목렌즈로 받아주면서, 빛의 경도를 바꾸는거지.

일직선으로 말이야. 

그리고 다시 볼록렌즈로 받아주면서 추가로 볼록렌즈로 축소해주는거야.

B1->B2까지 1공정인데,

마스크를 투과한 빛을 볼록렌즈가 받아주고, 축소시키는 과정에서 중간 지점에서 빛의 밀도를 낮춰주고

이후에 빛이 모이는 지점에 볼록렌즈로 다시 받아주고,  

그 빛을 추가 공정을 통해 더 작게 만드는거지.

0.01나노를 만들려면 굉장히 작은 볼록렌즈와 굉장히 작은 오목렌즈가 필요하겠지.

이렇게 빛의 밀도를 낮춘 뒤에 볼록렌즈로 빛의 크기를 줄여주는거야.

이게 빛의 크기를 줄이는 핵심 공정인거지.

5배 작아진 빛을 다시 5배, 2번만 반복해도 25배가 작아져.

1번 더 반복하면 125배, 한번 더 반복하면 625배, 한번 더 반복하면 3125배가 작아져,

3나노가 0.01나노가 되는거지.

그리고 마지막으로 해결이 불가능 했던게, 터널링 효과때문인데,

소자가 작아지면서 벽이 얇아지면서 전압이 높아지면 빛이 통과해버리는거야.

이것은 웨이퍼에 탄소를 일부 첨가하고, 가열한뒤 압축시켜,

밀도를 높여줘야 돼, 전자이동성이 감소하게되고, 높은 전압에도 버틸수있게 되지.

열전도성도 높아지고, 특수 웨이퍼를 제조해서, 0.01나노를 상용화하는거지.

바로 0.01나노가 가능해지는거야. 1세대 앞선 기술을 가지게 되는거지.

모두가 불가능하다고 했지만, 이제는 모두가 가능하다고 하지.